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成都G-43E4型高精密單麵光刻機

設備概述: 本(běn)設備是我(wǒ)公司根(gēn)據(jù)市場需求研發的產品,其突出的特點(diǎn)是曝光麵積(jī)大,通常情況下為Φ4",對被光刻基片的(de)外形、厚度…

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設備概述:

 本設備是(shì)我公司根據市場需求(qiú)研發的產品,其突出的特點是曝光麵積大(dà),通常情(qíng)況下為Φ4",對被(bèi)光(guāng)刻基片的外形、厚度要求較低,可(kě)對多種(zhǒng)材料的基片進行光刻,它特別適用一次光刻的產品,可製作聲表麵器件、可控(kòng)矽、小液(yè)晶顯示器、傳感器、二極管、園光柵、編碼(mǎ)盤等,按用戶(hù)要求可提(tí)供圓形承片台或方形承片台,承片(piàn)台(tái)都能實現“真空密著”曝(pù)光,加之光均勻(yún)性好(Φ100mm範圍內≤±3%),所以大大提高光刻質量。

主要構成
主要由防震工作(zuò)台、高均(jun1)勻性4"蠅眼曝光頭、氣(qì)動係統、電氣控製係統、真空管路(lù)係統、直聯式真空(kōng)泵(bèng)及附件箱等組成。

 

主要功能特點(diǎn)

1.適(shì)用於5mm以下的各種基片)的一次曝光。

2.本設備配置有可實現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構;具

3. 操(cāo)作簡便

4. 設備運行穩定、可靠

5. 特設功能

主要技術參數:

1、曝光麵積:Φ4",配置(zhì)4"蠅眼專用曝光(guāng)頭

2、實現“真空密(mì)著”曝光,(通(tōng)過調整真空度能實現硬接觸、軟接觸或微力接觸曝光)。但基片厚度≤2mm。

3、曝光*小(xiǎo)分辨率為2μm。

4、可以為用戶製作具有預定位機構的專用承片台,片對版的預定位精(jīng)度≤±0.1mm。

5、曝光頭(tóu)用燈為<span style="font-size:16px;line-height:150%;font-family:;" "="">GCQ350Z型(xíng)高壓水銀直流汞,光強≤10mw/cm²,光(guāng)的不均勻性在Φ100mm範圍內≤±3%,可以通過調節曝光頭光柵(shān)來(lái)改變光(guāng)強。


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