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成都G-30D4型高精密單麵光刻(kè)機

一、 主要用途:本設備是我公司專(zhuān)門(mén)針對各生產單位對光刻(kè)機的使用特性(xìng)研發的一種(zhǒng)精密光刻機,它主要用於中小規模集成電(diàn)路、半導(dǎo)體元…

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G-30D4型高精(jīng)密單麵光刻機

設備概述:

本設備為我公司專(zhuān)門針對各大、中、小型企(qǐ)業的(de)使用特(tè)性而研發的一種高(gāo)精密雙(shuāng)麵光刻機,它主要用於中小規模集成(chéng)電路、半(bàn)導(dǎo)體元器件、聲表麵(miàn)波器件的研製和生產,它具有(yǒu)生產效(xiào)率高、結構簡單、操作維護方便等優勢,本機不僅適合4英寸以下各型基(jī)片的曝光,也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦(yīn)等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。 主要由防震工作台、LED專用曝光頭、氣動係統、電氣控製係統、真空管路係統、直聯式真空泵及(jí)附件箱等組成(chéng)。


曝光頭及部件圖

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主要功能特點

Φ100mm以下,厚度(包括非圓形(xíng)基片

2. 結構穩定

有真空掩膜版架、真空片吸盤。

本設備操作簡單,調試、維護、修理等都(dōu)非(fēi)常簡便。  

采用進口電磁閥、按鈕、定時器;采用(yòng)獨特的氣動係統、真(zhēn)空管路係統和精密的機械

5. 特設功能  的基片造(zào)成的版(bǎn)片分離不開所引起的版片無法對準的問題  

主要技術指(zhǐ)標

1曝光類型:接觸(chù)式,雙麵,一次同時曝光(配置4″LED專用曝光(guāng)頭(tóu))

2、曝光麵積:110×110mm

3、曝光照度不均(jun1)勻(yún)性:≤±3%

4、曝光強(qiáng)度:030mw/cm²可調;

5、紫外光(guāng)束角:≤3°

6、紫外光中心(xīn)波長:365nm

7、紫外(wài)光源壽命(mìng):≥2萬(wàn)小時;

8、工(gōng)作麵溫度:≤30

9、采用電子快門;

10、曝光分(fèn)辨率:2μm(曝光深度為線寬的10倍左右)

11、曝光方式:接觸式曝(pù)光(guāng);

12、掩模版尺寸:≤127×127mm

13、基(jī)片尺寸:≤ Φ100mm;

14、基片厚度:≤5 mm

15、曝光定時(shí):0999.9秒可調;

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