G-31B6型高精密光刻機

產（chǎn）品介紹：

設備概述

本設備廣泛用於各大、中、小型企（qǐ）業、大專院校、科研單位，它主要用於中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表麵波（bō）器件、薄膜電路（lù）、電力電子器件的研製和生產。

主要構成 本設備為板板對準雙麵曝光

曝光頭部件（jiàn）圖

CCD顯微係統|X、Y、Q對準工作台

1.適用範（fàn）圍廣

適用於φ160mm以（yǐ）下、厚度5mm以下的各種基片(包括（kuò）非圓形基片)的（de）對準曝光，雙麵可（kě）同時曝（pù）光（guāng），亦可用於單麵曝光（guāng）。

2.結構穩定

Z軸采用滾珠直進式導軌（guǐ）和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密（mì）著機（jī）構，真空吸（xī）版，防粘片機構。

3.操作簡便

X\Y移動、Q轉、Z軸升降采（cǎi）用（yòng）手動方式；吸版（bǎn）、反吹采用按鈕方式（shì），操作、調試、維護、修理都非常簡便。 4. 可靠性高

精密的（de）機（jī）械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。

除標準承片（piàn）台外，還可（kě）以為用戶定製專用承片台，來解決非圓形（xíng）基片、碎片和底麵

1、工作（zuò）台行程（chéng）(X向、Y向/Z向/θ向）：±5mm/10mm/±5°；

2、適用基（jī）片尺寸: ≤6英寸；

3、掩模版尺寸：≤ 7″（175×175 mm）；

4、對準精度（正麵對準/背麵（miàn）對準）:±2um/±3um；

5、放大倍率:51×～570×(ccd連續)；

6、曝光光源:UV365，500W**壓汞燈；

7、曝光麵積:φ160mm；

8、曝光分辨率:2 um（膠厚≤1 um，正膠、真空接觸）；

9、光強 :≥ 5mW/cm²；

10、曝光不均勻性:±5%；

11、曝光時間:0～999.9s；